к какой степени интеграции относятся интегральные микросхемы содержащие 500 логических элементов
Варианты тестовых заданий по дисциплине Электротехника и электроника
Раздел 8 «Электроника»
1.Какие диоды применяют для выпрямления переменного тока?
а) Плоскостные б) Точечные
в) Те и другие г) Никакие
2.В каких случаях в схемах выпрямителей используется параллельное включение диодов?
а) При отсутствии конденсатора б) При отсутствии катушки
в) При отсутствии резисторов г) При отсутствии трёхфазного
3.Из каких элементов можно составить сглаживающие фильтры?
а) Из резисторов б) Из конденсаторов
в) Из катушек индуктивности г) Из всех вышеперечисленных приборов
4.Для выпрямления переменного напряжения применяют:
а) Однофазные выпрямители б) Многофазные выпрямители
в) Мостовые выпрямители г) Все перечисленные
5. Какие направления характерны для совершенствования элементной базы электроники?
а) Повышение надежности б) Снижение потребления мощности
в) Миниатюризация г) Все перечисленные
6.Укажите полярность напряжения на эмиттере и коллекторе транзистора типа p-n-p.
а) плюс, плюс б) минус, плюс
в) плюс, минус г) минус, минус
7.Каким образом элементы интегральной микросхемы соединяют между собой?
а) Напылением золотых или алюминиевых дорожек через окна в маске б) Пайкой лазерным лучом
а) Миниатюрность б) Сокращение внутренних соединительных линий
в) Комплексная технология г) Все перечисленные
9.Как называют средний слой у биполярных транзисторов?
в) База г) Коллектор
10. Сколько p-n переходов содержит полупроводниковый диод?
11.Как называют центральную область в полевом транзисторе?
12.Сколько p-n переходов у полупроводникового транзистора?
13.Управляемые выпрямители выполняются на базе:
а) Диодов б) Полевых транзисторов
в) Биполярных транзисторов г) Тиристоров
14. К какой степени интеграции относятся интегральные микросхемы, содержащие 500 логических элементов?
а) К малой б) К средней
в) К высокой г) К сверхвысокой
а) Выпрямителями б) Инверторами
в) Стабилитронами г) Фильтрами
16. Какими свободными носителями зарядов обусловлен ток в фоторезисторе?
а) Дырками б) Электронами
в) Протонами г) Нейтронами
Раздел 9 «Электропривод»
1.Механическая характеристика двигателя постоянного тока последовательного возбуждения.
а) Мягкая б) Жесткая
в) Абсолютно жесткая г) Асинхронная
2.Электроприводы крановых механизмов должны работать при:
а) Переменной нагрузке б) Постоянной нагрузки
в) Безразлично какой г) Любой
3. Электроприводы насосов, вентиляторов, компрессоров нуждаются в электродвигателях с жесткой механической характеристикой. Для этого используются двигатели:
а) Асинхронные с контактными кольцами б) Короткозамкнутые асинхронные
в) Синхронные г) Все перечисленные
4.Сколько электродвигателей входит в электропривод?
в) Несколько г) Количество электродвигателей зависит от
5. В каком режиме работают электроприводы кранов, лифтов, лебедок?
а) В длительном режиме б) В кратковременном режиме
в) В повторно- кратковременном режиме г) В повторно- длительном режиме
6.Какое устройство не входит в состав электропривода?
а) Контролирующее устройство б) Электродвигатель
в) Управляющее устройство г) Рабочий механизм
7.Электроприводы разводных мостов, шлюзов предназначены для работы:
а) В длительном режиме б) В повторно- кратковременном режиме
в) В кратковременном режиме г) В динамическом режиме
8. Какие функции выполняет управляющее устройство электропривода?
а) Изменяет мощность на валу рабочего механизма
в) Изменяет схему включения электродвигателя, передаточное число, направление вращения г) Все функции перечисленные выше
9.При каком режиме работы электропривода двигатель должен рассчитываться на максимальную мощность?
а) В повторно- кратковременном режиме б) В длительном режиме
в) В кратковременном режиме г) В повторно- длительном режиме
10. Какие задачи решаются с помощью электрической сети?
а) Производство электроэнергии б) Потребление электроэнергии
в) Распределение электроэнергии г) Передача электроэнергии
Характеристики материалов и структура ППИС
Показателем сложности микросхемы является степень интеграции К, которая характеризуется числом содержащихся в ней элементов и компонентов N:K=\gN, где К округляется до ближайшего большего целого числа. По степени интеграции микросхемы подразделяют на:
Наибольшей степенью интеграции обладают полупроводниковые микросхемы, затем тонкопленочные и, наконец, толстопленочные (в том числе, гибридные). По степени интеграции полупроводниковые микросхемы на биполярных транзисторах уступают интегральным микросхемам на МДП-транзисторах (табл. 1).
Таблица 1. Классификация микросхем по уровням интеграции
Цифровые микросхемы
Аналоговые микросхемы
на МДП-транзисторах
100 100 30 1000 500 100 10000
По применяемости в аппаратуре различают микросхемы широкого и частного применения. К последним относятся микросхемы, предназначенные для использования в конкретной аппаратуре и изготавливаемые непосредственно на предприятии, ее производящем.
В ряде случаев разработчики конкретной РЭА для улучшения показателей ее миниатюризации изготавливают микросборки, в состав которых входят элементы, компоненты, интегральные микросхемы и другие ЭРЭ. Микросборки по технологическому исполнению не отличаются от гибридных микросхем. И по функциональной сложности, и по степени интеграции микросборки, как правило, соответствуют БИС. Однако в отличие от них они не выпускаются как самостоятельные изделия широкого применения, а являются микроэлектронными изделиями частного применения, разрабатываемыми для конкретной МЭА.
Самое читаемое:
Степень интеграции
Что такое степень интеграции
интегральных микросхем?
Какова она для СБИС?
64 комментария »
Это характеристика, определяющая плотность упаковки (размещения) на одном кристалле (чипе) схемных элементов ИС. Различают следующие степени интеграции — малая, средняя, большая и сверхбольшая. СБИС(сверхбольшая интегральная схема) содержит более 10 тыс. элементов в кристалле
Сообщение от Всеволод Филипченко — 27 марта, 2017 @ 3:36 пп
Cтепень интеграции интегральных микросхем — это характеристика, определяющая плотность упаковки (размещения) на одном кристалле (чипе) схемных элементов ИС. Различают следующие степени интеграции — малая, средняя, большая и сверхбольшая.
СБИС(сверхбольшая интегральная схема) которая содержит более 10 тыс. элементов в кристалле
Сообщение от Михаевич Игорь 10603115 — 27 марта, 2017 @ 3:40 пп
Степень интеграции интегральной микросхемы– показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов.Сверхбольшая интегральная схема (СБИС) содержит от 10000 до 1000000 элементов.
Сообщение от Гулида Вероника — 27 марта, 2017 @ 7:19 пп
Степень интеграции — показатель, характеризующий сложность интегральной схемы. Для СБИС более 10.000 элементов в кристалле.
Сообщение от Владислав Тихно — 27 марта, 2017 @ 7:47 пп
Сообщение от Владислав Борейша — 27 марта, 2017 @ 8:57 пп
Степень интеграции интегральных схем — показатель, характеризующий сложность интегральной схемы. Для СБИС более 10 тыс. элементов в кристалле.
Сообщение от Светлана Лозицкая — 27 марта, 2017 @ 9:33 пп
Это характеристика, определяющая плотность упаковки (размещения) на одном кристалле (чипе) схемных элементов ИС. Различают следующие степени интеграции — малая, средняя, большая и сверхбольшая.
СБИС(сверхбольшая интегральная схема) содержит более 10 тыс. элементов в кристалле
Сообщение от Дорофейчик Дмитрий — 27 марта, 2017 @ 9:55 пп
Cтепень интеграции(N)-число компонентов, заключённых в одном корпусе интегральной микросхемы.
Для СБИС N>10 тыс. элементов в кристалле.
Сообщение от Фирсов Эдуард — 27 марта, 2017 @ 10:14 пп
Степень интеграции элементов ИС характеризует достигнутый при производстве этих ИС технологический уровень. Численное значение степени интеграции определяется округленным до большего целого числа значением десятичного логарифма числа элементов в одном кристалле. СБИС относится к ИС сверхбольшой степени интеграции. В СБИС содержится более 10000 элементов в кристалле.
Сообщение от Влад Камыш 10602215 — 27 марта, 2017 @ 10:53 пп
Степень интеграции элементов ИС характеризует достигнутый при производстве этих ИС технологический уровень. Численное значение степени интеграции определяется округленным до большего целого числа значением десятичного логарифма числа элементов в одном кристалле. СБИС относится к ИС сверхбольшой степени интеграции. СБИС содержит более 10000 элементов в кристалле.
Сообщение от Юрий Жмуренков — 27 марта, 2017 @ 10:54 пп
Это характеристика, определяющая плотность упаковки (размещения) на одном кристалле (чипе) схемных элементов ИС. Различают следующие степени интеграции — малая, средняя, большая и сверхбольшая.
СБИС(сверхбольшая интегральная схема) содержит более 10 тыс. элементов в кристалле
Сообщение от Кончик Дмитрий 10602115 — 27 марта, 2017 @ 11:05 пп
Степень интеграции элементов ИС характеризует достигнутый при производстве этих ИС технологический уровень. Численное значение степени интеграции определяется округленным до большего целого числа значением десятичного логарифма числа элементов в одном кристалле. СБИС относится к ИС сверхбольшой степени интеграции. В СБИС содержится более 10000 элементов в кристалле.
Сообщение от Кулик Алексей — 27 марта, 2017 @ 11:12 пп
Степень интеграции элементов ИС характеризует достигнутый при производстве этих ИС технологический уровень. Численное значение степени интеграции определяется округленным до большего целого числа значением десятичного логарифма числа элементов в одном кристалле. СБИС относится к ИС сверхбольшой степени интеграции. В СБИС содержится более 10000 элементов в кристалле.
Сообщение от Анастасия Гайс — 27 марта, 2017 @ 11:12 пп
Степень интеграции интегральной микросхемы – показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов.
Для СБИС степени интеграции k = 5;6;7
Сообщение от Вараксин Эдуард — 28 марта, 2017 @ 2:30 пп
Степень интеграции интегральных микросхем определяет сложность схем.
Мерой степени интеграция является плотность элементов, которая определяется числом элементов на кристалле или на единице площади.
Степень интеграции СБИС — более 10 тыс. элементов в кристалле.
Сообщение от Дубатовка Александр Дмитриевич (гр.10603115) — 28 марта, 2017 @ 3:34 пп
Степень интеграции интегральной микросхемы — это показатель степени сложности интегральной микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов. Степень интеграции интегральной микросхемы определяют по формуле K = lg N, где K — коэффициент, определяющий степень интеграции, значение которого округляют до ближайшего большего целого числа; N — число элементов интегральной микросхемы, в том числе содержащихся в составе компонентов, входящих в интегральную микросхему. СБИС — сверхбольшая интегральная схема, ее степень интеграции k = 5;6;7
Сообщение от Галицкая Надежда — 28 марта, 2017 @ 6:42 пп
Степень интеграции интегральной микросхемы — показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов.
Сообщение от Василевский Юрий — 28 марта, 2017 @ 7:56 пп
Степень интеграции интегральной микросхемы — показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов
Сообщение от Василевский Андрей — 28 марта, 2017 @ 7:58 пп
Степени интегральной микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов, Степень интеграции интегральной микросхемы определяют по формуле K = lg N
Сообщение от Прокопенко А.С. — 29 марта, 2017 @ 12:20 пп
Степень интеграции элементов ИС характеризует достигнутый при производстве этих ИС технологический уровень. Численное значение степени интеграции определяется округленным до большего целого числа значением десятичного логарифма числа элементов в одном кристалле. СБИС относится к ИС сверхбольшой степени интеграции. В СБИС содержится более 10000 элементов в кристалле.
Сообщение от Щигло Евгений — 29 марта, 2017 @ 12:28 пп
Степень интеграции отражает функциональную сложность устройства, которое можно разместить на кристалле ИС и поместить в отдельный корпус.Так же степень интеграции характеризует количество элементов в микросхеме.
В соответствии с выбранным критерием СБИС ПЛ делят на СБИС, имеющие:
низкую степень интеграции (лог. емк. до 1500 ЛВ);
среднюю степень интеграции (лог.емк. от 1500 до 15000 ЛВ);
высокую степень интеграции (лог.емк. от 15000 до 150000 ЛВ);
сверхвысокую степень интеграции (лог.емк. более 150000 ЛВ).
Сообщение от Алексей Бобрик — 29 марта, 2017 @ 2:39 пп
Степень интеграции интегральных микросхем характеризует их сложность. Для сверхбольших интегральных схем более 10 тыс. элементов в кристалле.
Сообщение от Санковский Андрей — 29 марта, 2017 @ 4:32 пп
Степень интеграции интегральной микросхемы — показатель степени сложности интегральной микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и (или) компонентов. СБИС — сверхбольшие интегральные микросхемы, число элементов в них 10000 и более.
Сообщение от Пугачёв Иван — 29 марта, 2017 @ 6:04 пп
СТЕПЕНЬ ИНТЕГРАЦИИ(К) — показатель, характеризующий сложность интегральной схемы, численно определяется выражением К = lgN, где N — число элементов, входящих в ИС. Значение К округляется до ближайшего целого числа в сторону увеличения. Однако чаше пользуются другой оценкой сложности ИС, в соответствии с к-рой различают малые N Сообщение от Матюшин Илья 10603315 — 29 марта, 2017 @ 9:27 пп
Сообщение от Ковалевский Александр — 29 марта, 2017 @ 9:32 пп
(К) — показатель, характеризующий сложность интегральной схемы’, численно определяется выражением К = IgN, где N — число элементов, входящих в ИС (значение К округляется до ближайшего целого числа в сторону увеличения). Однако чаше пользуются другой оценкой сложности И. с., в соответствии с к-рой различают малые N Сообщение от Мелехов Андрей — 29 марта, 2017 @ 10:14 пп
Сообщение от Морозова Анастасия — 30 марта, 2017 @ 12:01 пп
Интегральная микросхема (ИС) – микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала и имеющее высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов и кристаллов, которое с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации рассматривается как единое целое. Были предложены следующие названия микросхем в зависимости от степени интеграции:
Малая интегральная схема (МИС) — до 100 элементов в кристалле.
Средняя интегральная схема (СИС) — до 1000 элементов в кристалле.
Большая интегральная схема (БИС) — до 10000 элементов в кристалле.
. Сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — до 1 миллиона элементов в кристалле.
Ультрабольшая интегральная схема (УБИС) — до 1 миллиарда элементов в кристалле.
Гигабольшая интегральная схема (ГБИС) — более 1 миллиарда элементов в кристалле.
Сообщение от Кушнер Иван — 30 марта, 2017 @ 2:36 пп
Степень интеграции интегральной микросхемы – показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов.Сверхбольшая интегральная микросхема (СБИС) — ИС, содержащая свыше 100000 элементов и (или) компонентов для цифровых ИС с регулярной структурой построения, свыше 50000 – для цифровых ИС с нерегулярной структурой построения, и свыше 10000 – для аналоговых ИС (5..7 степень).
Сообщение от Хоменко Евгений 10602115 — 30 марта, 2017 @ 2:43 пп
Показатель степени сложности интегральной микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и (или) компонентов. Примечание — Степень интеграции интегральной микросхемы определяют по формуле K = lg N, где K — коэффициент, определяющий степень интеграции, значение которого округляют до ближайшего большего целого числа; N — число элементов интегральной микросхемы, в том числе содержащихся в составе компонентов, входящих в интегральную микросхему
Для СБИС степень интеграции более 10 тыс. элементов в кристалле.
Сообщение от Роман Веракса — 30 марта, 2017 @ 3:27 пп
Это кол-во элементов кристалле
малая интегральная схема (МИС) — до 100 элементов в кристалле,
средняя интегральная схема (СИС) — до 1000 элементов в кристалле,
большая интегральная схема (БИС) — до 10 тыс. элементов в кристалле,
сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — более 10 тыс. элементов в кристалле
Сообщение от Качан Павел гр10602215 — 30 марта, 2017 @ 3:32 пп
Это кол-во элементов кристалле
малая интегральная схема (МИС) — до 100 элементов в кристалле,
средняя интегральная схема (СИС) — до 1000 элементов в кристалле,
большая интегральная схема (БИС) — до 10 тыс. элементов в кристалле,
сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — более 10 тыс. элементов в кристалле
Сообщение от Позняк Богдан — 30 марта, 2017 @ 3:35 пп
Степень интеграции — это а) количество элементов в микросхеме и б) количество потребной «обвязки»
Сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — более 10 тыс. элементов в кристалле.
Сообщение от Реут Сергей — 30 марта, 2017 @ 4:55 пп
Сообщение от Елизавета Д. — 30 марта, 2017 @ 6:24 пп
Степень интеграции интегральных микросхем — это показатель степени сложности интегральной микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов. Количественно степень интеграции выражается коэффициентом K = lg N, где N — число элементов. Например для цифровой СБИС с технологией МДП N>10000. Поэтому K=4 и более.
Сообщение от Никита Ваник — 30 марта, 2017 @ 7:33 пп
степень интеграции интегральных микросхем показывает плотность размещения на одном кристалле системных элементов интегральной схемы. В зависимости от степени интеграции применяются следующие названия интегральных схем:
1) малая интегральная схема (МИС) — до 100 элементов в кристалле,
2) средняя интегральная схема (СИС) — до 1000 элементов в кристалле,
3) большая интегральная схема (БИС) — до 10 тыс. элементов в кристалле,
4)сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — более 10 тыс. элементов в кристалле
Сообщение от Валерий Кудёлка — 30 марта, 2017 @ 7:50 пп
Это кол-во элементов кристалле
малая интегральная схема (МИС) — до 100 элементов в кристалле,
средняя интегральная схема (СИС) — до 1000 элементов в кристалле,
большая интегральная схема (БИС) — до 10 тыс. элементов в кристалле,
сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — более 10 тыс. элементов в кристалле
Сообщение от Саракваша Алексей — 30 марта, 2017 @ 10:15 пп
Степень интеграции — это количество элементов в микросхеме.
Степень интеграции для СБИС — более 10 тыс. элементов в кристалле.
Сообщение от Бурнейко Александр — 31 марта, 2017 @ 3:04 пп
Степень интеграции — это количество элементов в микросхеме и количество потребной «обвязки».
Сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — более 10 тыс. элементов в кристалле.
Сообщение от Подоматько Евгений ст.гр.10602215 — 31 марта, 2017 @ 3:30 пп
Это число компонентов заключённых в одном корпусе интегральной микросхемы.
Сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — более 10 тыс. элементов в кристалле.
Сообщение от Паланевич Алексей — 31 марта, 2017 @ 4:04 пп
Степень интеграции интегральной микросхемы определяют по формуле:
K=lg(N), где K — коэффициент определяющий степень интеграции, значение которого округляют до ближайшего большего целого числа; N — число элементов интегральной микросхемы. Для СБИС степень интеграции 4 Сообщение от Николай Магер — 31 марта, 2017 @ 6:01 пп
Степень интеграции интегральной микросхемы – показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов.
Определяется по формуле: k=lgN,
где k – коэффициент, определяющий степень интеграции, округляемый до ближайшего большего целого числа.
N – число элементов и компонентов, входящих в интегральную микросхему.
Сверхбольшая интегральная микросхема (СБИС) содержит свыше 100000 элементов и (или) компонентов для цифровых ИС с регулярной структурой построения, свыше 50000 – для цифровых ИС с нерегулярной структурой построения, и свыше 10000 – для аналоговых ИС (5..7 степень).
Сообщение от Артем Ракусевич — 31 марта, 2017 @ 6:40 пп
Степень интеграции интегральной микросхемы – показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов.
Определяется по формуле: k=lgN,
где k – коэффициент, определяющий степень интеграции, округляемый до ближайшего большего целого числа.
N – число элементов и компонентов, входящих в интегральную микросхему.
Для СБИС она составляет N>10000
Сообщение от Адамович Роман 10602115 — 31 марта, 2017 @ 6:55 пп
Степень интеграции интегральной микросхемы – показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов.
Определяется по формуле: k=lgN,
где k – коэффициент, определяющий степень интеграции, округляемый до ближайшего большего целого числа.
N – число элементов и компонентов, входящих в интегральную микросхему.
Для СБИС она составляет N>10000
Сообщение от Кабачевский Алексей гр.10602115 — 31 марта, 2017 @ 6:59 пп
Степень интеграции ИС — показатель степени сложности микросхемы ( k), характеризуется числом содержащихся в ней элементов и компонентов: N.
Формула: k=lgN
Для СБИС она составляет N>10000
Сообщение от Артём — 31 марта, 2017 @ 7:08 пп
Степень интеграции К – это показатель сложности интегральной микросхемы, характеризуемой числом элементов N, полученных интегральной технологией на общем кристалле.
К = lg N
СБИС — N>10000, К = 5
Сообщение от Владислав — 31 марта, 2017 @ 7:10 пп
Степень интеграции интегральной микросхемы – показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов.
Определяется по формуле: k=lgN,
где k – коэффициент, определяющий степень интеграции, округляемый до ближайшего большего целого числа.
N – число элементов и компонентов, входящих в интегральную микросхему.
Для СБИС она составляет N>10000
Сообщение от Николай — 31 марта, 2017 @ 7:15 пп
Степень интеграции интегральной микросхемы – показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов.
Определяется по формуле: k=lgN,
где k – коэффициент, определяющий степень интеграции, округляемый до ближайшего большего целого числа.
N – число элементов и компонентов, входящих в интегральную микросхему.
Для СБИС она составляет N>10000
Сверхбольшая интегральная микросхема (СБИС) — ИС, содержащая свыше 100000 элементов и (или) компонентов для цифровых ИС с регулярной структурой построения, свыше 50000 – для цифровых ИС с нерегулярной структурой построения, и свыше 10000 – для аналоговых ИС (5..7 степень).
Сообщение от Голуб Янина — 31 марта, 2017 @ 7:17 пп
Степень интеграции интегральной микросхемы – показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов.
Определяется по формуле: k=lgN,
где k – коэффициент, определяющий степень интеграции, округляемый до ближайшего большего целого числа.
N – число элементов и компонентов, входящих в интегральную микросхему.
Для СБИС она составляет N>10000
Сообщение от Чумаченко Михаил — 31 марта, 2017 @ 7:18 пп
Степень интеграции интегральной микросхемы – показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов.
Определяется по формуле: k=lgN,
где k – коэффициент, определяющий степень интеграции, округляемый до ближайшего большего целого числа.
N – число элементов и компонентов, входящих в интегральную микросхему.
Для СБИС она составляет N>10000
Сообщение от Артём — 31 марта, 2017 @ 7:20 пп
Степень интеграции интегральной микросхемы – показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов.
Определяется по формуле: k=lgN,
где k – коэффициент, определяющий степень интеграции, округляемый до ближайшего большего целого числа.
N – число элементов и компонентов, входящих в интегральную микросхему.
Для СБИС она составляет N>10000
Сообщение от Разумович Игорь 10602115 — 31 марта, 2017 @ 7:43 пп
Степень интеграции интегральной микросхемы — показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов. Степень интеграции для сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) — более 10 тыс. элементов в кристалле.
Сообщение от Тихонов Александр — 31 марта, 2017 @ 7:59 пп
Степень интеграции интегральной микросхемы — показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов. Степень интеграции для сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) — более 10 тыс. элементов в кристалле.
Сообщение от Книга Кристина — 31 марта, 2017 @ 8:00 пп
Степень интеграции интегральной микросхемы – показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов.Определяется по формуле: k=lgN,где k – коэффициент, определяющий степень интеграции, округляемый до ближайшего большего целого числа.N – число элементов и компонентов, входящих в интегральную микросхему.СБИС имеет 5,6,7 степени интеграции.
Сообщение от Савенков Константин — 31 марта, 2017 @ 9:01 пп
Степень интеграции интегральной микросхемы – показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов.
Определяется по формуле: k=lgN,
где k – коэффициент, определяющий степень интеграции, округляемый до ближайшего большего целого числа.
N – число элементов и компонентов, входящих в интегральную микросхему.
Для СБИС она составляет N>10000
Сообщение от Жаров Дмитрий — 31 марта, 2017 @ 10:16 пп
Это показатель степени сложности интегральной микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов. Для СБИС степень интеграции равна 2^20 транзисторов.
Сообщение от Лисовец Андрей — 31 марта, 2017 @ 11:24 пп
Показатель степени сложности интегральной микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и (или) компонентов. Для СБИС характерна степень интеграции от 10^4 до 10^6 элементов на кристалл.
Сообщение от Бородич Максим — 31 марта, 2017 @ 11:29 пп
Степень интеграции характеризует сложность интегральной схемы. Сверхбольшая интегральная схема (СБИС)содержит более 10 тыс. элементов.
Сообщение от Михалевич Никита — 31 марта, 2017 @ 11:39 пп
показатель, характеризующий сложность интегральной схемы, численно определяется выражением К = IgN. Для СБИС K>3.
Сообщение от Сантарович Володя — 31 марта, 2017 @ 11:42 пп
Степень интеграции интегральной микросхемы – показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов.
Определяется по формуле: k=lgN,
где k – коэффициент, определяющий степень интеграции, округляемый до ближайшего большего целого числа.
N – число элементов и компонентов, входящих в интегральную микросхему.
Для СБИС она составляет N>10000
Сообщение от Бурчик Сергей 10602115 — 1 апреля, 2017 @ 3:08 дп
Сообщение от Позняк Дмитрий (09115) — 1 апреля, 2017 @ 9:12 дп
Как узнать степень интеграции микросхемы, где это прописано? MCP602 I/SN «Microchip» допустим вот этой
Сообщение от Анд — 14 апреля, 2020 @ 10:21 дп
Для этого посчитать число элементов в схеме. Если, конечно, ее даст производитель.
Сообщение от Юрий Витальевич. — 14 апреля, 2020 @ 11:01 дп