ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ

Π’Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΠ΅ носитСли ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ

Для хранСния ΠΈ пСрСноса ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ с ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π° Π½Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ внСшниС носитСли. Π’ качСствС носитСлСй ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ всСго Π²Ρ‹ΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°ΡŽΡ‚ оптичСскиС диски (CD, DVD, Blu-Ray), Ρ„Π»Π΅Ρˆ-Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ (Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ) ΠΈ внСшниС ТСсткиС диски. Π’ этой ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ ΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π·Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ Π²ΠΈΠ΄Ρ‹ Π²Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΡ… носитСлСй ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ ΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΠΈΠΌ Π½Π° вопрос «На Ρ‡Π΅ΠΌ Ρ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅?Β»

ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ

БСйчас оптичСскиС диски постСпСнно отходят Π½Π° Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Π½ ΠΈ это понятно. ΠžΠΏΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠ΅ диски ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ Π·Π°ΠΏΠΈΡΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ нСбольшоС количСство ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ удобство использования оптичСского диска оставляСт ΠΆΠ΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅, ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΆΠ΅ диски ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ ΠΏΠΎΠ²Ρ€Π΅Π΄ΠΈΡ‚ΡŒ, ΠΏΠΎΡ†Π°Ρ€Π°ΠΏΠ°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€Π΅ читаСмости диска. Однако для Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ хранСния ΠΌΠ΅Π΄ΠΈΠ°ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ (Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΠΌΠΎΠ², ΠΌΡƒΠ·Ρ‹ΠΊΠΈ) оптичСскиС диски подходят ΠΊΠ°ΠΊ Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ внСшний Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ. ВсС ΠΌΠ΅Π΄ΠΈΠ°Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΈ Π²ΠΈΠ΄Π΅ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ³Ρ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ ΠΏΠΎ-ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ½Π΅ΠΌΡƒ воспроизводят оптичСскиС диски.

ЀлСшки

ЀлСш-Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎ-простому Β«Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠ°Β» сСйчас ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ наибольшим спросом Ρƒ ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ. Π•Π΅ ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΉ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ ΠΈ Π²Π½ΡƒΡˆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΌΡ‹ памяти (Π΄ΠΎ 64Π“Π± ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅) ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ для Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ†Π΅Π»Π΅ΠΉ. Π§Π°Ρ‰Π΅ всСго Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΊ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Ρƒ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΌΠ΅Π΄ΠΈΠ°Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΏΠΎΡ€Ρ‚ USB. ΠžΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ„Π»Π΅ΡˆΠ΅ΠΊ являСтся высокая ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ чтСния ΠΈ записи. ЀлСшка ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ пластиковый корпус, Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΡŒ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½Π° элСктронная ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π° с Ρ‡ΠΈΠΏΠΎΠΌ памяти.

ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ

USB-Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ

К Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠ²ΠΈΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Ρ„Π»Π΅ΡˆΠ΅ΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ отнСсти ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Ρ‹ памяти, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ с ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Ρ€ΠΈΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΎΠΌ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡ†Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ USB-Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΎΠΉ. Удобство использованиС Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚Π°Π½Π΄Π΅ΠΌΠ° позволяСт Ρ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΌΡ‹ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ Π½Π° Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Π°Ρ… памяти, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π·Π°Π½ΠΈΠΌΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΡƒΠΌ мСста. К Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΆΠ΅ Π²Ρ‹ всСгда ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Ρƒ памяти вашСго смартфона, Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚Π°.

ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ
ЀлСшки ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² повсСднСвной ΠΆΠΈΠ·Π½ΠΈ – ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΎΡΠΈΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹, ΡΠΎΡ…Ρ€Π°Π½ΡΡ‚ΡŒ ΠΈ ΠΊΠΎΠΏΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ Ρ„Π°ΠΉΠ»Ρ‹, ΠΏΡ€ΠΎΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π²ΠΈΠ΄Π΅ΠΎ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡΠ»ΡƒΡˆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΌΡƒΠ·Ρ‹ΠΊΡƒ.

Π’Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΠ΅ ТСсткиС диски

Π’Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΠ΅ ТСсткиС диски тСхничСски ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой ТСсткий диск, ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π² ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ корпус с USB Π°Π΄Π°ΠΏΡ‚Π΅Ρ€ΠΎΠΌ ΠΈ систСмой Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ ΠΎΡ‚ Π²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ. Как извСстно ТСсткиС диски ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ Π²ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ объСмами дискового пространства, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² ΠΊΡƒΠΏΠ΅ с ΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ ΠΈΡ… ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π»Π΅ΠΊΠ°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ. На внСшнСм ТСстком дискС Π²Ρ‹ смоТСтС Ρ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ΡŒ всю свою Π²ΠΈΠ΄Π΅ΠΎ ΠΈ Π°ΡƒΠ΄ΠΈΠΎΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ†ΠΈΡŽ. Однако для ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ внСшнСго ТСсткого диска трСбуСтся ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½Π°Ρ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ питания. Один Ρ€Π°Π·ΡŠΠ΅ΠΌ USB Π½Π΅ Π² силС ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡ†Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅. Π’ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ Π½Π° Π²Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΡ… ТСстких дисках имССтся Π΄Π²ΠΎΠΉΠ½ΠΎΠΉ кабСль USB. По Π³Π°Π±Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π°ΠΌ внСшниС ТСсткиС диски совССм нСбольшиС, ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ ΠΏΠΎΠΌΠ΅ΡΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π² ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎΠΌ ΠΊΠ°Ρ€ΠΌΠ°Π½Π΅.

ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ

HDD боксы

Π‘ΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ HDD боксы, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ для использования Π² качСствС носитСля ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹ΠΉ ТСсткий диск (HDD). Π’Π°ΠΊΠΈΠ΅ боксы ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой ΠΊΠΎΡ€ΠΎΠ±ΠΊΡƒ с ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ΠΎΠΌ USB, ΠΊ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ самыС простыС ТСсткиС диски стационарного ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π°.

ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ

Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Π²Ρ‹ Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΎΡΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΡŽ нСпосрСдствСнно с ТСсткого диска вашСго ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π° Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ, Π±Π΅Π· Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ копирования ΠΈ вставки. Π’Π°ΠΊΠΎΠΉ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π½Π°ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ дСшСвлС ΠΏΠΎΠΊΡƒΠΏΠΊΠΈ внСшнСго ТСсткого диска, особСнно Ссли пСрСнСсти Π½Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ вСсь Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π» ТСсткого диска.

Π’ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΌ случаС, Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Ρ‹ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ этими разновидностями носитСлСй довольно расплывчаты ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π²Π°Ρ€ΡŒΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ, Π² зависимости ΠΎΡ‚ ситуации ΠΈ Π²Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΡ… условий.

НСобходима подсказка, ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΡΡ‚Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π·Π°Ρ‚Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡΡ‚ΡŒ с Π·Π°Π΄Π½Π΅Π³ΠΎ Π±Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π° автомобиля.
ΠšΡ‚ΠΎ-Ρ‚ΠΎ приТался Π²ΠΎ Π΄Π²ΠΎΡ€Π΅ ΠΈ ΠΏΠΎΡ†Π°Ρ€Π°ΠΏΠ°Π». Π”Π΅Π½ΡŒΠ³ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠΈΠ΄Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ для пСрСкраску элСмСнта Π½Π΅Ρ‚ ТСлания, Ρ‚.ΠΊ Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ стоит.

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ

ЀлСш ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ

ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ

Π€Π»Π΅Ρˆβ€ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ (Π°Π½Π³Π». Flash-Memory ) β€” Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠ²ΠΈΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚Π²Π΅Ρ€Π΄ΠΎΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ энСргонСзависимой пСрСзаписываСмой памяти.

Она ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΡ‡ΠΈΡ‚Π°Π½Π° сколько ΡƒΠ³ΠΎΠ΄Π½ΠΎ Ρ€Π°Π·, Π½ΠΎ ΠΏΠΈΡΠ°Ρ‚ΡŒ Π² Ρ‚Π°ΠΊΡƒΡŽ ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ лишь ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ число Ρ€Π°Π· (максимально β€” ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠΎΠ½Π° Ρ†ΠΈΠΊΠ»ΠΎΠ² [1] ). РаспространСна Ρ„Π»Π΅Ρˆ-ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ, Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 100 тысяч Ρ†ΠΈΠΊΠ»ΠΎΠ² пСрСзаписи β€” Π½Π°ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ большС, Ρ‡Π΅ΠΌ способна Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ дискСта ΠΈΠ»ΠΈ Тёстких дисков, Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½Π°Π΄Ρ‘ΠΆΠ½Π° ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°ΠΊΡ‚Π½Π°.

Благодаря своСй компактности, дСшСвизнС ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΌ энСргопотрСблСнии Ρ„Π»Π΅Ρˆβ€ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Ρ… устройствах, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π½Π° Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΉΠΊΠ°Ρ… ΠΈ аккумуляторах β€” Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠ΅Ρ€Π°Ρ… ΠΈ Π²ΠΈΠ΄Π΅ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠ΅Ρ€Π°Ρ…, Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π΄ΠΈΠΊΡ‚ΠΎΡ„ΠΎΠ½Π°Ρ…, MP3-ΠΏΠ»Π΅Π΅Ρ€Π°Ρ…, КПК, ΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Π°Ρ…, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ смартфонах ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΠ½ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π°Ρ…. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΎΠ½Π° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для хранСния встроСнного ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ обСспСчСния Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… устройствах (ΠΌΠ°Ρ€ΡˆΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°Ρ…, мини‐АВБ, ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π°Ρ…, сканСрах), Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°Ρ….

Π’Π°ΠΊ ΠΆΠ΅ Π² послСднСС врСмя ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ΅ распространСниС ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ»ΠΈ Β«Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠ°Β», USB‐драйв, USB‐диск), практичСски Π²Ρ‹Ρ‚Π΅ΡΠ½ΠΈΠ²ΡˆΠΈΠ΅ дискСты ΠΈ CD. Одним ΠΈΠ· ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Ρ… Ρ„Π»ΡΡˆΠΊΠΈ JetFlash Π² 2002 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ Π½Π°Ρ‡Π°Π» Π²Ρ‹ΠΏΡƒΡΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΉΠ²Π°Π½ΡŒΡΠΊΠΈΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Ρ€Π½ SSD Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ ΠΎΠ±ΡŠΡ‘ΠΌΠΎΠΌ 256 Π“Π‘ ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅.

Π•Ρ‰Ρ‘ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ нСдостаток устройств Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ Ρ„Π»Π΅Ρˆβ€ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΠΈ ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с Тёсткими дисками β€” ΠΊΠ°ΠΊ Π½ΠΈ странно, мСньшая ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ. НСсмотря Π½Π° Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ SSD Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ Π·Π°Π²Π΅Ρ€ΡΡŽΡ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ этих устройств Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ скорости винчСстСров, Π² Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΎΠ½Π° оказываСтся ΠΎΡ‰ΡƒΡ‚ΠΈΠΌΠΎ Π½ΠΈΠΆΠ΅. ΠšΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎ, SSD Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π½Π΅ Ρ‚Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½ΠΎ винчСстСру врСмя Π½Π° Ρ€Π°Π·Π³ΠΎΠ½, ΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π³ΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΊ ΠΈ Ρ‚. ΠΏ. Но врСмя чтСния, Π° Ρ‚Π΅ΠΌ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ записи, ячССк Ρ„Π»Π΅Ρˆβ€ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΠΈ, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ Π² соврСмСнных SSD накопитСлях, большС. Π§Ρ‚ΠΎ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ сниТСнию ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ. БправСдливости Ρ€Π°Π΄ΠΈ слСдуСт ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ послСдниС ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ SSD Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ ΠΈ ΠΏΠΎ этому ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρƒ ΡƒΠΆΠ΅ Π²ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΡƒΡŽ ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠ·ΠΈΠ»ΠΈΡΡŒ ΠΊ винчСстСрам. Однако, эти ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ ΠΏΠΎΠΊΠ° слишком Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΈ.

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ дСйствия

ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ

ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ

ЀлСш-ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ Ρ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΡŽ Π² массивС транзисторов с ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ, Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹Ρ… ячСйками (Π°Π½Π³Π». cell ). Π’ Ρ‚Ρ€Π°Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… устройствах с ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅Π²Ρ‹ΠΌΠΈ ячСйками (Π°Π½Π³Π». single-level cell, SLC ), каТдая ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ… ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ Π±ΠΈΡ‚. НСкоторыС Π½ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ устройства с ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅Π²Ρ‹ΠΌΠΈ ячСйками (Π°Π½Π³Π». multi-level cell, MLC ) ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Ρ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ΡŒ большС ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π±ΠΈΡ‚Π°, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ элСктричСского заряда Π½Π° ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ транзистора.

Π’ основС этого Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Ρ„Π»Π΅Ρˆ-памяти Π»Π΅ΠΆΠΈΡ‚ Π˜Π›Π˜β€‘ΠΠ• элСмСнт (Π°Π½Π³Π». NOR ), ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² транзисторС с ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ напряТСниС Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρƒ.

Вранзистор ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π΄Π²Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°: ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΈ ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ. ПослСдний ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ ΠΈ способСн ΡƒΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ элСктроны Π΄ΠΎ 10 Π»Π΅Ρ‚. Π’ ячСйкС ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ сток ΠΈ исток. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ напряТСниСм Π½Π° ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ создаётся элСктричСскоС ΠΏΠΎΠ»Π΅ ΠΈ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΡƒΠ½Π½Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ эффСкт. НСкоторыС элСктроны Ρ‚ΡƒΠ½Π½Π΅Π»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· слой изолятора ΠΈ ΠΏΠΎΠΏΠ°Π΄Π°ΡŽΡ‚ Π½Π° ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€, Π³Π΄Π΅ ΠΈ Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ΠΏΡ€Π΅Π±Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ. Заряд Π½Π° ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ измСняСт Β«ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½ΡƒΒ» ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° сток-исток ΠΈ Π΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‡Ρ‚Π΅Π½ΠΈΠΈ.

ΠŸΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ Ρ‡Ρ‚Π΅Π½ΠΈΠ΅ ячССк сильно Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² энСргопотрСблСнии: устройства Ρ„Π»Π΅Ρˆ-памяти ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»ΡΡŽΡ‚ достаточно большой Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΈ записи, Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‡Ρ‚Π΅Π½ΠΈΠΈ Π·Π°Ρ‚Ρ€Π°Ρ‚Ρ‹ энСргии ΠΌΠ°Π»Ρ‹.

Для стирания ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ Π½Π° ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ подаётся высокоС ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС, ΠΈ элСктроны с ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° пСрСходят (Ρ‚ΡƒΠ½Π½Π΅Π»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚) Π½Π° исток.

Π’ NOR Π°Ρ€Ρ…ΠΈΡ‚Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π΅ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΌΡƒ транзистору Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ подвСсти ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠ²ΠΈΠ΄ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ схСмы. Π­Ρ‚Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠ° Ρ€Π΅ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ NAND Π°Ρ€Ρ…ΠΈΡ‚Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΡ€Ρ‹.

Π’ основС NAND Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Π»Π΅ΠΆΠΈΡ‚ И-НЕ элСмСнт (Π°Π½Π³Π». NAND ). ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΆΠ΅, ΠΎΡ‚ NOR Ρ‚ΠΈΠΏΠ° отличаСтся Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ячССк ΠΈ ΠΈΡ… ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π°ΠΌΠΈ. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ ΡƒΠΆΠ΅ Π½Π΅ трСбуСтся ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠ²ΠΈΠ΄ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΉ ячСйкС, Ρ‚Π°ΠΊ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ ΠΈ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ NAND Ρ‡ΠΈΠΏΠ° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ сущСствСнно мСньшС. Π’Π°ΠΊ ΠΆΠ΅ запись ΠΈ стираниС происходит быстрСС. Однако эта Π°Ρ€Ρ…ΠΈΡ‚Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° Π½Π΅ позволяСт ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‰Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ячСйкС.

NAND ΠΈ NOR Π°Ρ€Ρ…ΠΈΡ‚Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΡ€Ρ‹ сСйчас ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΈ Π½Π΅ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡƒΡ€ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΌ, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ находят ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… областях хранСния Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ….

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ

ЀлСш-ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ Π±Ρ‹Π»Π° ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π΅Ρ‚Π΅Π½Π° Π€ΡƒΠ΄Π·ΠΈ ΠœΠ°ΡΡƒΠΎΠΊΠ° (Fujio Masuoka), ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΎΠ½ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π» Π² 1984 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ. Имя Β«Ρ„Π»Π΅ΡˆΒ» Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ΄ΡƒΠΌΠ°Π½ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π² Toshiba ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅Π³ΠΎΠΉ Π€ΡƒΠ΄Π·ΠΈ, Π‘Ρ‘Π΄Π·ΠΈ Ариизуми (Shoji Ariizumi), ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ процСсс стирания содСрТимого памяти Π΅ΠΌΡƒ Π½Π°ΠΏΠΎΠΌΠ½ΠΈΠ» Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΡΠΏΡ‹ΡˆΠΊΡƒ (Π°Π½Π³Π». flash ). ΠœΠ°ΡΡƒΠΎΠΊΠ° прСдставил свою Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΡƒ Π½Π° IEEE 1984 International Electron Devices Meeting (IEDM), ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΠ²ΡˆΠ΅ΠΉ Π² Π‘Π°Π½-Ѐранциско, ΠšΠ°Π»ΠΈΡ„ΠΎΡ€Π½ΠΈΡ. 1988 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ выпустила ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ коммСрчСский Ρ„Π»Π΅Ρˆ-Ρ‡ΠΈΠΏ NOR-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°.

NAND-Ρ‚ΠΈΠΏ Ρ„Π»Π΅Ρˆ-памяти Π±Ρ‹Π» анонсирован Toshiba Π² 1989 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ Π½Π° International Solid-State Circuits Conference. Π£ Π½Π΅Π³ΠΎ Π±Ρ‹Π»Π° большС ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ записи ΠΈ мСньшС ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ Ρ‡ΠΈΠΏΠ°.

Π₯арактСристики

Π’ основном ΠΎΠ±ΡŠΡ‘ΠΌ Ρ‡ΠΈΠΏΠ° Ρ„Π»Π΅Ρˆ-памяти измСряСтся ΠΎΡ‚ ΠΊΠΈΠ»ΠΎΠ±Π°ΠΉΡ‚ Π΄ΠΎ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… Π³ΠΈΠ³Π°Π±Π°ΠΉΡ‚.

Для увСличСния ΠΎΠ±ΡŠΡ‘ΠΌΠ° Π² устройствах часто примСняСтся массив ΠΈΠ· Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… Ρ‡ΠΈΠΏΠΎΠ². К 2007 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ USB устройства ΠΈ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Ρ‹ памяти ΠΈΠΌΠ΅Π»ΠΈ ΠΎΠ±ΡŠΡ‘ΠΌ ΠΎΡ‚ 512 ΠœΠ‘ Π΄ΠΎ 64 Π“Π‘. Π‘Π°ΠΌΡ‹ΠΉ большой ΠΎΠ±ΡŠΡ‘ΠΌ USB устройств составлял 4 Π’Π‘.

Π€Π°ΠΉΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ систСмы

ОсновноС слабоС мСсто Ρ„Π»Π΅Ρˆ-памяти β€” количСство Ρ†ΠΈΠΊΠ»ΠΎΠ² пСрСзаписи. Битуация ΡƒΡ…ΡƒΠ΄ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π² связи с Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ОБ часто записываСт Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎ ΠΈ Ρ‚ΠΎ ΠΆΠ΅ мСсто. НапримСр, часто обновляСтся Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° Ρ„Π°ΠΉΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ систСмы, Ρ‚Π°ΠΊ Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Π΅ сСктора памяти ΠΈΠ·Ρ€Π°ΡΡ…ΠΎΠ΄ΡƒΡŽΡ‚ свой запас Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π½ΡŒΡˆΠ΅. РаспрСдСлСниС Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ позволяСт сущСствСнно ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π»ΠΈΡ‚ΡŒ срок Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ памяти.

Для Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ этой ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹ Π±Ρ‹Π»ΠΈ созданы ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ„Π°ΠΉΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ систСмы: JFFS2 [7] ΠΈ YAFFS [8] для GNU/Linux ΠΈ Microsoft Windows.

SecureDigital ΠΈ FAT.

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅

ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ

ЀлСш-ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ извСстна ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π² USB Ρ„Π»Π΅Ρˆ-носитСлях (Π°Π½Π³Π». USB flash drive ). Π’ основном примСняСтся NAND Ρ‚ΠΈΠΏ памяти, которая ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· USB ΠΏΠΎ интСрфСйсу USB mass storage device (USB MSC). Π”Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ интСрфСйс поддСрТиваСтся всСми ОБ соврСмСнных вСрсий.

Π•ΡΡ‚ΡŒ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ дистрибутивы GNU/Linux ΠΈ вСрсии ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ прямо с USB носитСлСй, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ своими прилоТСниями Π² ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π½Π΅Ρ‚-ΠΊΠ°Ρ„Π΅.

NOR Ρ‚ΠΈΠΏ памяти Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ примСняСтся Π² BIOS ΠΈ ROM-памяти устройств, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ DSL ΠΌΠΎΠ΄Π΅ΠΌΡ‹, ΠΌΠ°Ρ€ΡˆΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ ΠΈ Ρ‚. Π΄. ЀлСш-ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ позволяСт Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ ΠΎΠ±Π½ΠΎΠ²Π»ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΡˆΠΈΠ²ΠΊΡƒ устройств, ΠΏΡ€ΠΈ этом ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ записи ΠΈ ΠΎΠ±ΡŠΡ‘ΠΌ для Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… устройств Π½Π΅ Ρ‚Π°ΠΊ Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹.

Π’ΠΈΠΏΡ‹ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ памяти

Π‘ΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ нСсколько Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ памяти, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… Π² ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Ρ… устройствах:

MMC (MultiMedia Card): ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° Π² Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ‚Π΅ MMC ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ нСбольшой Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ β€” 24Γ—32Γ—1,4 ΠΌΠΌ. Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Π° совмСстно компаниями SanDisk ΠΈ Siemens. MMC содСрТит ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ памяти ΠΈ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ высокой ΡΠΎΠ²ΠΌΠ΅ΡΡ‚ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ с устройствами самого Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ°. Π’ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π΅ случаСв ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Ρ‹ MMC ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ устройствами со слотом SD.

RS-MMC (Reduced Size MultiMedia Card): ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Π° памяти, которая Π²Π΄Π²ΠΎΠ΅ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‡Π΅ стандартной ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Ρ‹ MMC. Π•Ρ‘ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ 24Γ—18Γ—1,4 ΠΌΠΌ, Π° вСс β€” ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 6 Π³, всС ΠΎΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ характСристики Π½Π΅ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΡ‚ MMC. Для обСспСчСния совмСстимости со стандартом MMC ΠΏΡ€ΠΈ использовании ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ RS-MMC Π½ΡƒΠΆΠ΅Π½ Π°Π΄Π°ΠΏΡ‚Π΅Ρ€. DV-RS-MMC (Dual Voltage Reduced Size MultiMedia Card): ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Ρ‹ памяти DV-RS-MMC с Π΄Π²ΠΎΠΉΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ (1,8 ΠΈ 3,3 Π’) ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ энСргопотрСблСниСм, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Ρƒ Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ дольшС. Π Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Ρ‹ ΡΠΎΠ²ΠΏΠ°Π΄Π°ΡŽΡ‚ с Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π°ΠΌΠΈ RS-MMC, 24Γ—18Γ—1,4 ΠΌΠΌ. MMCmicro: ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠ°Ρ‚ΡŽΡ€Π½Π°Ρ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Π° памяти для ΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… устройств с Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π°ΠΌΠΈ 14Γ—12Γ—1,1 ΠΌΠΌ. Для обСспСчСния совмСстимости со стандартным слотом MMC Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ.

SD Card (Secure Digital Card): поддСрТиваСтся Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΠ°ΠΌΠΈ Panasonic ΠΈ SD (Trans-Flash) ΠΈ SDHC (High Capacity): Π‘Ρ‚Π°Ρ€Ρ‹Π΅ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Ρ‹ SD Ρ‚Π°ΠΊ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ Trans-Flash ΠΈ Π½ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ SDHC (High Capacity) ΠΈ устройства ΠΈΡ… чтСния Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π½Π° ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ Ρ‘ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ носитСля, 2 Π“Π‘ для Trans-Flash ΠΈ 32 Π“Π‘ для High Capacity (Высокой Ёмкости). Устройства чтСния SDHC ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ совмСстимы с SDTF, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ SDTF ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Π° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π±Π΅Π· ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΡ‡ΠΈΡ‚Π°Π½Π° Π² устройствС чтСния SDHC, Π½ΠΎ Π² устройствС SDTF увидится Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ 2 Π“Π‘ ΠΎΡ‚ ёмкости SDHC большСй ёмкости, Π»ΠΈΠ±ΠΎ Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡΡ вовсС. ΠŸΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°Π΅Ρ‚ΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ‚ TransFlash Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ вытСснСн Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ‚ΠΎΠΌ SDHC. Оба суб-Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ‚Π° ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ прСдставлСны Π² любом ΠΈΠ· Ρ‚Ρ€Ρ‘Ρ… Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ‚ΠΎΠ² Ρ„ΠΈΠ·. Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² (Π‘Ρ‚Π°Π½Π΄Π°Ρ€Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ, mini ΠΈ micro). miniSD (Mini Secure Digital Card): ΠžΡ‚ стандартных ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ Secure Digital ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ мСньшими Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π°ΠΌΠΈ 21,5Γ—20Γ—1,4 ΠΌΠΌ. Для обСспСчСния Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Ρ‹ Π² устройствах, оснащённых ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹ΠΌ SD-слотом, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π°Π΄Π°ΠΏΡ‚Π΅Ρ€. microSD (Micro Secure Digital Card): ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π° настоящий ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ (2008) самыми ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΡΡŠΡ‘ΠΌΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ устройствами Ρ„Π»Π΅Ρˆ-памяти (11Γ—15Γ—1 ΠΌΠΌ). Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ, Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΡƒΡŽ ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ, Π² ΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Π°Ρ…, ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΠ½ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π°Ρ…, ΠΈ Ρ‚. ΠΏ., Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ, благодаря своСй компактности, ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ сущСствСнно Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ€ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ устройства, Π½Π΅ увСличивая ΠΏΡ€ΠΈ этом Π΅Π³ΠΎ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ ΠΎΡ‚ записи вынСсСн Π½Π° Π°Π΄Π°ΠΏΡ‚Π΅Ρ€ microSD-SD.

MS Duo (Memory Stick Duo): Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ стандарт памяти разрабатывался ΠΈ поддСрТиваСтся ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠ΅ΠΉ MS Duo (Memory Stick Duo): Π”Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ‚ являСтся ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡƒΡ€Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠΌ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ‚Π° microSD (ΠΏΠΎ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρƒ), сохраняя прСимущСства ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ памяти Sony.

xD-Picture Card: ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚Π°Ρ… Ρ„ΠΈΡ€ΠΌ Fuji ΠΈ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ….

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ

Различия ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Ρ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΌΠΈ памяти SLC, MLC, TLC ΠΈ 3D NAND Π² USB-накопитСлях, Ρ‚Π²Π΅Ρ€Π΄ΠΎΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… накопитСлях ΠΈ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Π°Ρ… памяти

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ NAND?

NAND β€” это энСргонСзависимая Ρ„Π»Π΅Ρˆ-ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ, которая ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅, Π΄Π°ΠΆΠ΅ Ссли ΠΎΠ½Π° Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π° ΠΊ источнику питания. Π’ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΡΠΎΡ…Ρ€Π°Π½ΡΡ‚ΡŒ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ питания Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ NAND ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ΠΎΠΌ для Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΡ…, Π²Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΡ… ΠΈ ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Ρ… устройств. USB-Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ, Ρ‚Π²Π΅Ρ€Π΄ΠΎΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ ΠΈ SD-ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Ρ‹ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ Ρ„Π»Π΅Ρˆ-Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΡŽ, обСспСчивая ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ для Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… устройств, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Ρ‹ ΠΈ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Π²ΠΈΠ΄Π΅ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹.

На Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ΅ прСдставлСны нСсколько Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² памяти NAND. ΠŸΠΎΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Ρƒ говоря, ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ· Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² отличаСтся количСством Π±ΠΈΡ‚ΠΎΠ², ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π² ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΉ ячСйкС. Π‘ΠΈΡ‚Ρ‹ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой элСктричСский заряд, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΎΠ΄Π½ΠΎ ΠΈΠ· Π΄Π²ΡƒΡ… Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ β€” 0 ΠΈΠ»ΠΈ 1 (Π²ΠΊΠ»./Π²Ρ‹ΠΊΠ».).

ΠšΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Π΅ различия ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Ρ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΌΠΈ памяти NAND Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² стоимости, Смкости ΠΈ срокС слуТбы. РСсурс опрСдСляСтся количСством Ρ†ΠΈΠΊΠ»ΠΎΠ² программирования-стирания (P/E), ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ ячСйка Ρ„Π»Π΅Ρˆ-памяти Π΄ΠΎ износа. Π¦ΠΈΠΊΠ» P/E β€” это процСсс стирания ΠΈ записи ячСйки, ΠΈ Ρ‡Π΅ΠΌ большС Ρ†ΠΈΠΊΠ»ΠΎΠ² P/E ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ тСхнология NAND, Ρ‚Π΅ΠΌ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ рСсурс устройства.

Π‘Ρ‚Π°Π½Π΄Π°Ρ€Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ Ρ„Π»Π΅Ρˆ-памяти NAND β€” SLC, MLC, TLC ΠΈ 3D NAND. Π’ этой ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ характСристики ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° памяти NAND.

ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ

SLC NAND

ΠŸΡ€Π΅ΠΈΠΌΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π°: Π’Ρ‹ΡΠΎΡ‡Π°ΠΉΡˆΠΈΠΉ рСсурс β€” НСдостатки: Высокая ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ низкая Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ

NAND-ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅Π²Ρ‹ΠΌΠΈ ячСйками (SLC) Ρ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ 1 Π±ΠΈΡ‚ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ Π½Π° ячСйку. Π’ ячСйкС хранится Π»ΠΈΠ±ΠΎ 0, Π»ΠΈΠ±ΠΎ 1, ΠΈ Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ запись ΠΈ ΠΈΠ·Π²Π»Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ быстрСС. SLC обСспСчиваСт ΡΠ°ΠΌΡƒΡŽ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ рСсурс: 100 000 Ρ†ΠΈΠΊΠ»ΠΎΠ² P/E Π’ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ такая ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ слуТит дольшС Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² NAND-памяти. Однако ΠΈΠ·-Π·Π° Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ плотности размСщСния Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… SLC являСтся самым Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΈΠΌ Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠΌ NAND-памяти ΠΈ поэтому ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π½Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ†ΠΈΠΈ. Π•Π΅ Ρ‚ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ области примСнСния β€” сСрвСры ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅, Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ высокой скорости ΠΈ долговСчности.

MLC NAND

ΠŸΡ€Π΅ΠΈΠΌΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π°: Π”Π΅ΡˆΠ΅Π²Π»Π΅ памяти SLC β€” НСдостатки: БыстродСйствиС ΠΈ рСсурс Π½ΠΈΠΆΠ΅ ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с SLC

ВСхнология NAND-памяти с ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅Π²Ρ‹ΠΌΠΈ ячСйками (MLC) Ρ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ нСсколько Π±ΠΈΡ‚ΠΎΠ² Π½Π° ячСйку, хотя Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΈΠ½ MLC ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ относится ΠΊ 2 Π±ΠΈΡ‚Π°ΠΌ Π½Π° ячСйку. MLC ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ размСщСния Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с SLC, поэтому позволяСт ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ носитСли большСй Смкости. ΠŸΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ MLC отличаСтся Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠΌ сочСтаниСм Ρ†Π΅Π½Ρ‹, ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΈ долговСчности. Однако ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ MLC, ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ 10 000 Ρ†ΠΈΠΊΠ»ΠΎΠ² P/E Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π° ΠΊ ошибкам Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ мСньший рСсурс ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с SLC. ΠŸΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ MLC ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ†ΠΈΠΈ, Π³Π΄Π΅ Π΄ΠΎΠ»Π³ΠΎΠ²Π΅Ρ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π΅ ΡΡ‚ΠΎΠ»ΡŒ Π²Π°ΠΆΠ½Π°.

TLC NAND

ΠŸΡ€Π΅ΠΈΠΌΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π°: НаимСньшая Ρ†Π΅Π½Π° ΠΈ высокая Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ β€” НСдостатки: Низкая Π΄ΠΎΠ»Π³ΠΎΠ²Π΅Ρ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ

NAND-ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ с Ρ‚Ρ€Π΅Ρ…ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅Π²Ρ‹ΠΌΠΈ ячСйками (TLC) Ρ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ 3 Π±ΠΈΡ‚Π° Π½Π° ячСйку. Π—Π° счСт увСличСния числа Π±ΠΈΡ‚ΠΎΠ² Π½Π° ячСйку сниТаСтся Ρ†Π΅Π½Π° ΠΈ увСличиваСтся Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ. Однако это ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ сказываСтся Π½Π° ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΈ рСсурсС (всСго 3000 Ρ†ΠΈΠΊΠ»ΠΎΠ² P/E). Π’ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΈΡ… издСлиях ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ TLC ΠΊΠ°ΠΊ самый Π΄Π΅ΡˆΠ΅Π²Ρ‹ΠΉ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚..

3D NAND

Π’ послСдниС Π΄Π΅ΡΡΡ‚ΡŒ Π»Π΅Ρ‚ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠ· ΠΊΡ€ΡƒΠΏΠ½Π΅ΠΉΡˆΠΈΡ… ΠΈΠ½Π½ΠΎΠ²Π°Ρ†ΠΈΠΉ Π½Π° Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ΅ Ρ„Π»Π΅Ρˆ-памяти стала ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ 3D NAND. ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ Ρ„Π»Π΅Ρˆ-памяти Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π»ΠΈ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΡŽ 3D NAND, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡƒΡΡ‚Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹, с ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΎΠ½ΠΈ ΡΡ‚ΠΎΠ»ΠΊΠ½ΡƒΠ»ΠΈΡΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π° 2D NAND Π² ΠΏΠΎΠΏΡ‹Ρ‚ΠΊΠ΅ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΡ‡ΡŒ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокой плотности ΠΏΡ€ΠΈ ΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ… Π·Π°Ρ‚Ρ€Π°Ρ‚Π°Ρ…. Π’ памяти 2D NAND ячСйки, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… хранятся Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅, Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ‰Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π³ΠΎΡ€ΠΈΠ·ΠΎΠ½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ, рядом Π΄Ρ€ΡƒΠ³ с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΌ. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ объСм пространства, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½Ρ‹ ячСйки, ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½, ΠΈ ΠΏΠΎΠΏΡ‹Ρ‚ΠΊΠ° ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ ячССк сниТаСт ΠΈΡ… Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ.

ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ NAND-памяти Ρ€Π΅ΡˆΠΈΠ»ΠΈ Ρ€Π°ΡΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚ΡŒ ячСйки Π² пространствС ΠΈΠ½Π°Ρ‡Π΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π»ΠΎ ΠΊ созданию памяти 3D NAND с Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ располоТСниСм ячССк. Π‘ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокая ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ памяти позволяСт ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ Π±Π΅Π· Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ увСличСния Ρ†Π΅Π½Ρ‹. ΠŸΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ 3D NAND Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ обСспСчиваСт Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ Π΄ΠΎΠ»Π³ΠΎΠ²Π΅Ρ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ мСньшСС энСргопотрСблСниС.

Π’ Ρ†Π΅Π»ΠΎΠΌ, NAND β€” Ρ‡Ρ€Π΅Π·Π²Ρ‹Ρ‡Π°ΠΉΠ½ΠΎ ваТная тСхнология памяти, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ обСспСчиваСт быстроС стираниС ΠΈ запись Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ стоимости Π½Π° Π±ΠΈΡ‚. Π‘ ростом ΠΈΠ³Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ индустрии Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ NAND продолТится, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π»Π΅Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΡŒ постоянно растущиС потрСбности ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ Π² Ρ…Ρ€Π°Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ….

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ

Π’Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти

Π‘ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Π΅Π»ΠΎΠ²Π΅ΠΊΡƒ нравится Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ сСбС Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ высокотСхнологичныС Π³Π°Π΄ΠΆΠ΅Ρ‚Ρ‹ (Π°Π½Π³Π». gadget β€” устройство), ΠΎΠ±Π»Π΅Π³Ρ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Тизнь, Π΄Π° Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΌ ΡΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ, Π΄Π΅Π»Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π΅Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ насыщСнной ΠΈ интСрСсной. И появились-Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ΠΈ всСго Π·Π° 10-15 Π»Π΅Ρ‚! ΠœΠΈΠ½ΠΈΠ°Ρ‚ΡŽΡ€Π½Ρ‹Π΅, Π»Π΅Π³ΠΊΠΈΠ΅, ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π½Ρ‹Π΅, цифровыС… ВсСго этого Π³Π°Π΄ΠΆΠ΅Ρ‚Ρ‹ достигли благодаря Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ микропроцСссорным тСхнологиям, Π½ΠΎ всС ΠΆΠ΅ больший Π²ΠΊΠ»Π°Π΄ Π±Ρ‹Π» сдСлан ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠ΅ΠΉ хранСния Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…, ΠΎ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ сСгодня ΠΌΡ‹ ΠΈ Π±ΡƒΠ΄Π΅ΠΌ Π³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΡŒ. Π˜Ρ‚Π°ΠΊ, Ρ„Π»ΡΡˆ-ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ.

Π‘Ρ‹Ρ‚ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΌΠ½Π΅Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π°Π·Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ FLASH ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΊ Ρ‚ΠΈΠΏΡƒ памяти пСрСводится ΠΊΠ°ΠΊ Β«Π²ΡΠΏΡ‹ΡˆΠΊΠ°Β». На самом Π΄Π΅Π»Π΅ это Π½Π΅ совсСм Ρ‚Π°ΠΊ. Одна ΠΈΠ· вСрсий Π΅Π³ΠΎ появлСния Π³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Π΅ Π² 1989-90 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ компания Toshiba ΡƒΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΈΠ»Π° слово Flash Π² контСкстС «быстрый, ΠΌΠ³Π½ΠΎΠ²Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉΒ» ΠΏΡ€ΠΈ описании своих Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… микросхСм. Π’ΠΎΠΎΠ±Ρ‰Π΅, ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π΅Ρ‚Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ считаСтся Intel, ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²ΠΈΠ²ΡˆΠ°Ρ Π² 1988 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ Ρ„Π»ΡΡˆ-ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ с Π°Ρ€Ρ…ΠΈΡ‚Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΡ€ΠΎΠΉ NOR. Π“ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ·ΠΆΠ΅ Toshiba Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π»Π° Π°Ρ€Ρ…ΠΈΡ‚Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΡ€Ρƒ NAND, которая ΠΈ сСгодня ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ наряду с Ρ‚ΠΎΠΉ ΠΆΠ΅ NOR Π² микросхСмах Ρ„Π»ΡΡˆ. БобствСнно, сСйчас ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ это Π΄Π²Π° Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Π²ΠΈΠ΄Π° памяти, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π² Ρ‡Π΅ΠΌ-Ρ‚ΠΎ ΡΡ…ΠΎΠΆΡƒΡŽ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΡŽ производства. Π’ этой ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ ΠΌΡ‹ попытаСмся ΠΏΠΎΠ½ΡΡ‚ΡŒ ΠΈΡ… устройство, ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ рассмотрим Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Ρ‹ практичСского использования.

ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ с Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ считаСтся ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΉ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΈΡ†Π΅ΠΉ сСмСйства Flash, с Π½Π΅Π΅ ΠΈ Π½Π°Ρ‡Π½Π΅ΠΌ. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° логичСского элСмСнта, собствСнно давшСго Π΅ΠΉ Π½Π°Π·Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ (NOR β€” Not OR β€” Π² Π±ΡƒΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅ΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΠΊΠ΅ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Π½ΠΈΠ΅ Β«Π˜Π›Π˜Β»), ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° Π½Π° рисункС.ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ

Π‘ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Π½Π΅Π΅ осущСствляСтся ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… напряТСний Π² Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅, ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Β«0Β» ΠΈ Β«1Β». Они Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ для чтСния/записи Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π² ячСйкС памяти ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ напряТСния. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ячСйки ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° Π½Π° рисункС Π½ΠΈΠΆΠ΅.

ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ

ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ

Она Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π½Π° для Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π° Ρ„Π»ΡΡˆ-Ρ‡ΠΈΠΏΠΎΠ² ΠΈ прСдставляСт ΠΈΠ· сСбя транзистор с двумя ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°ΠΌΠΈ: ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ (control) ΠΈ ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ (floating). Π’Π°ΠΆΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ послСднСго являСтся ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΡƒΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ элСктроны, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ заряд. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π² ячСйкС ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚Π°ΠΊ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ «сток» ΠΈ «исток». ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π½ΠΈΠΌΠΈ, вслСдствиС воздСйствия ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ поля Π½Π° ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅, создаСтся ΠΊΠ°Π½Π°Π» β€” ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊ элСктронов. НСкоторыС ΠΈΠ· элСктронов, благодаря Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡŽ большСй энСргии, ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ΄ΠΎΠ»Π΅Π²Π°ΡŽΡ‚ слой изолятора ΠΈ ΠΏΠΎΠΏΠ°Π΄Π°ΡŽΡ‚ Π½Π° ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€. На Π½Π΅ΠΌ ΠΎΠ½ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Ρ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π² Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… Π»Π΅Ρ‚. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ количСства элСктронов (заряда) Π½Π° ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ соотвСтствуСт логичСской Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Π΅, Π° всС, Ρ‡Ρ‚ΠΎ большС Π΅Π³ΠΎ, β€” Π½ΡƒΠ»ΡŽ. ΠŸΡ€ΠΈ Ρ‡Ρ‚Π΅Π½ΠΈΠΈ эти состояния Ρ€Π°ΡΠΏΠΎΠ·Π½Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ измСрСния ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния транзистора. Для стирания ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ Π½Π° ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ подаСтся высокоС ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС, ΠΈ элСктроны с ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° пСрСходят (Ρ‚ΡƒΠ½Π½Π΅Π»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚) Π½Π° исток. Π’ тСхнологиях Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ этот ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΏΠΎ способу ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ Ρ‡Ρ‚Π΅Π½ΠΈΡŽ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΈΠ· ячСйки. Π₯ΠΎΡ‡Ρƒ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ вашС Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² структурС Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти для хранСния 1 Π±ΠΈΡ‚Π° ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ задСйствуСтся Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ элСмСнт (транзистор), Π² Ρ‚ΠΎ врСмя ΠΊΠ°ΠΊ Π² энСргозависимых Ρ‚ΠΈΠΏΠ°Ρ… памяти для этого трСбуСтся нСсколько транзисторов ΠΈ кондСнсатор. Π­Ρ‚ΠΎ позволяСт сущСствСнно ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ выпускаСмых микросхСм, ΡƒΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒ тСхнологичСский процСсс, Π°, ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΈ ΡΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ ΡΠ΅Π±Π΅ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ. Но ΠΈ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ Π±ΠΈΡ‚ Π΄Π°Π»Π΅ΠΊΠΎ Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»: Intel ΡƒΠΆΠ΅ выпускаСт ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ StrataFlash, каТдая ячСйка ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎ 2 Π±ΠΈΡ‚Π° ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π½Ρ‹Π΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†Ρ‹, с 4-Ρ… ΠΈ Π΄Π°ΠΆΠ΅ 9-Π±ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ячСйками! Π’ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ памяти ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ тСхнология ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅Π²Ρ‹Ρ… ячССк. Они ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΡƒΡŽ структуру, Π° ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ заряд ΠΈΡ… дСлится Π½Π° нСсколько ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ, ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΌΡƒ ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Π² соотвСтствиС ставится опрСдСлСнная комбинация Π±ΠΈΡ‚. ВСорСтичСски ΠΏΡ€ΠΎΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ/Π·Π°ΠΏΠΈΡΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 4-Ρ… Π±ΠΈΡ‚, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ, Π½Π° ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹ с устранСниСм ΡˆΡƒΠΌΠΎΠ² ΠΈ с постСпСнной ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΎΠΉ элСктронов ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Ρ…Ρ€Π°Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ. Π’ΠΎΠΎΠ±Ρ‰Π΅, Ρƒ ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… сСгодня микросхСм памяти для ячССк Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π½ΠΎ врСмя хранСния ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ, измСряСмоС Π³ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ ΠΈ число Ρ†ΠΈΠΊΠ»ΠΎΠ² чтСния/записи β€” ΠΎΡ‚ 100 тысяч Π΄ΠΎ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ². Из нСдостатков, Π² частности, Ρƒ Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти с Π°Ρ€Ρ…ΠΈΡ‚Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΡ€ΠΎΠΉ NOR стоит ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠ»ΠΎΡ…ΡƒΡŽ ΠΌΠ°ΡΡˆΡ‚Π°Π±ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ: нСльзя ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ Ρ‡ΠΈΠΏΠΎΠ² ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π­Ρ‚Π° ситуация связана со способом ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΡ†Ρ‹ ячССк: Π² NOR Π°Ρ€Ρ…ΠΈΡ‚Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π΅ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΌΡƒ транзистору Π½Π°Π΄ΠΎ подвСсти ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠ²ΠΈΠ΄ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚. Π“ΠΎΡ€Π°Π·Π΄ΠΎ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ Π² этом ΠΏΠ»Π°Π½Π΅ обстоят Π΄Π΅Π»Π° Ρƒ Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти с Π°Ρ€Ρ…ΠΈΡ‚Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΡ€ΠΎΠΉ NAND.

NAND β€” Not AND β€” Π² Ρ‚ΠΎΠΉ ΠΆΠ΅ Π±ΡƒΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅ΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΠΊΠ΅ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Π½ΠΈΠ΅ «И». ΠžΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ такая ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π·Π²Π΅ Ρ‡Ρ‚ΠΎ логичСской схСмой.ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ

ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ

Устройство ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ячССк Ρƒ Π½Π΅Π΅ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Ρƒ NOR. Π₯отя, ΠΊΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ, всС-Ρ‚Π°ΠΊΠΈ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄Π½ΠΎ Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎΠ΅ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ β€” Π°Ρ€Ρ…ΠΈΡ‚Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° размСщСния ячССк ΠΈ ΠΈΡ… ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ². Π’ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ΠΎΠΏΠΈΡΠ°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ случая, здСсь имССтся контактная ΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°, Π² пСрСсСчСниях строк ΠΈ столбцов ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Ρ€Π°ΡΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°ΡŽΡ‚ΡΡ транзисторы. Π­Ρ‚ΠΎ сравнимо с пассивной ΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΡ†Π΅ΠΉ Π² дисплСях πŸ™‚ (Π° NOR β€” с Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ TFT). Π’ случаС с ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒΡŽ такая организация нСсколько Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ β€” ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ микросхСмы ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ Π·Π° счСт Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² ячССк. НСдостатки (ΠΊΡƒΠ΄Π° ΡƒΠΆ Π±Π΅Π· Π½ΠΈΡ…) Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с NOR скорости Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π² опСрациях ΠΏΠΎΠ±Π°ΠΉΡ‚ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ доступа.

Π‘ΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Π΅Ρ‰Π΅ ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ Π°Ρ€Ρ…ΠΈΡ‚Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΊΠ°ΠΊ: DiNOR (Mitsubishi), superAND (Hitachi) ΠΈ ΠΏΡ€. ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π½ΠΈΡ‡Π΅Π³ΠΎ ΠΎΠ½ΠΈ Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚, Π° лишь ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΠ΅ свойства NAND ΠΈ NOR.

И всС ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ Π±Ρ‹ Ρ‚Π°ΠΌ Π½ΠΈ Π±Ρ‹Π»ΠΎ, NOR ΠΈ NAND Π½Π° сСгодняшний дСнь Π²Ρ‹ΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π° Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ практичСски Π½Π΅ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡƒΡ€ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ собой, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΊΠ°ΠΊ Π² силу своих качСств находят ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… областях хранСния Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…. Об этом ΠΈ ΠΏΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ Π΄Π°Π»Π΅Π΅ Ρ€Π΅Ρ‡ΡŒβ€¦

Π“Π΄Π΅ Π½ΡƒΠΆΠ½Π° ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒβ€¦

Если Π΅Ρ‰Π΅ ΠΊΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ выполнСния пСрСчислСнных ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ Π½Π° Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ΠΊΡƒ Π±Π»ΠΎΠΊΠ° ΠΈ Π½Π° доступ, Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠΌ ΠΎΡ‚Π½ΡŽΠ΄ΡŒ нСконкурСнтоспособныС с NOR ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ (ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‡Ρƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ для случая ΠΏΠΎΠ±Π°ΠΉΡ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ записи). Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ΅ Π΄Π΅Π»ΠΎ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ запись/Ρ‡Ρ‚Π΅Π½ΠΈΠ΅ β€” здСсь NAND Π½Π°ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокиС скоростныС характСристики. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΈΠ·-Π·Π° возмоТностСй увСличСния объСма памяти Π±Π΅Π· увСличСния Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² микросхСмы, NAND-Ρ„Π»ΡΡˆ нашСл ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² качСствС хранитСля Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… объСмов ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ для Π΅Π΅ пСрСноса. НаиболСС распространСнныС сСйчас устройства, основанныС Π½Π° этом Ρ‚ΠΈΠΏΠ΅ памяти, это Ρ„Π»ΡΡˆΠ΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Ρ‹ ΠΈ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Ρ‹ памяти. Π§Ρ‚ΠΎ касаСтся NOR-Ρ„Π»ΡΡˆΠ°, Ρ‚ΠΎ Ρ‡ΠΈΠΏΡ‹ с Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² качСствС Ρ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ΄Π° (BIOS, RAM ΠΊΠ°Ρ€ΠΌΠ°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€ΠΎΠ², ΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΠΎΠΊ ΠΈ Ρ‚. ΠΏ.), ΠΈΠ½ΠΎΠ³Π΄Π° Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΉ (ΠžΠ—Π£, ΠŸΠ—Π£ ΠΈ процСссор Π½Π° ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΌΠΈΠ½ΠΈ-ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π΅, Π° Ρ‚ΠΎ ΠΈ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ Ρ‡ΠΈΠΏΠ΅). Π£Π΄Π°Ρ‡Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ использования β€” ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ Gumstix: ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΏΠ»Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ с пластинку ΠΆΠ²Π°Ρ‡ΠΊΠΈ. ИмСнно NOR-Ρ‡ΠΈΠΏΡ‹ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ для Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… случаСв ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ надСТности хранСния ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π³ΠΈΠ±ΠΊΠΈΠ΅ возмоТности ΠΏΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ с Π½Π΅ΠΉ. ОбъСм NOR-Ρ„Π»ΡΡˆ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ измСряСтся Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Π°ΠΌΠΈ ΠΌΠ΅Π³Π°Π±Π°ΠΉΡ‚ ΠΈ Ρ€Π΅Π΄ΠΊΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π²Π°Π»ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Π·Π° дСсятки.

И Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ„Π»ΡΡˆβ€¦

БСзусловно, Ρ„Π»ΡΡˆ β€” пСрспСктивная тСхнология. Однако, нСсмотря Π½Π° высокиС Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΡ‹ роста объСмов производства, устройства хранСния Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…, основанныС Π½Π° Π½Π΅ΠΉ, Π΅Ρ‰Π΅ достаточно Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡƒΡ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ с ТСсткими дисками для Π½Π°ΡΡ‚ΠΎΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… систСм ΠΈΠ»ΠΈ Π½ΠΎΡƒΡ‚Π±ΡƒΠΊΠΎΠ². Π’ основном, сСйчас сфСра господства Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти ограничиваСтся ΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ устройствами. Как Π²Ρ‹ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΌΠ°Π΅Ρ‚Π΅, этот сСгмСнт ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ Π½Π΅ Ρ‚Π°ΠΊ ΡƒΠΆ ΠΈ ΠΌΠ°Π». ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, со слов ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ, Π½Π° Π½Π΅ΠΌ экспансия Ρ„Π»ΡΡˆ Π½Π΅ остановится. Π˜Ρ‚Π°ΠΊ, ΠΊΠ°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΆΠ΅ основныС Ρ‚Π΅Π½Π΄Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ развития ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ мСсто Π² этой области.

Π’ΠΎ-ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Ρ…, ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΠΆΠ΅ ΡƒΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΡΡŒ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, большоС Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ удСляСтся ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡΠΌ. ΠŸΡ€ΠΈΡ‡Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚Ρ‹ Π²Ρ€ΠΎΠ΄Π΅ Gumstix лишь ΠΏΡ€ΠΎΠΌΠ΅ΠΆΡƒΡ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ этапы Π½Π° ΠΏΡƒΡ‚ΠΈ ΠΊ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ всСх Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΉ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ микросхСмС.

ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ

Пока Ρ‡Ρ‚ΠΎ, Ρ‚Π°ΠΊ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ on-chip (single-chip) систСмы ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ Ρ‡ΠΈΠΏΠ΅ Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти с ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ΠΎΠΌ, процСссором, SDRAM ΠΈΠ»ΠΈ ΠΆΠ΅ со ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ПО. Π’Π°ΠΊ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Intel StrataFlash Π² сочСтании с ПО Persistent Storage Manager (PSM) Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ объСм памяти ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ ΠΊΠ°ΠΊ для хранСния Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ для выполнСния ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ΄Π°. PSM ΠΏΠΎ сути Π΄Π΅Π»Π° являСтся Ρ„Π°ΠΉΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ систСмой, ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉΡΡ ОБ Windows CE 2.1 ΠΈ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅. ВсС это Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΎ Π½Π° сниТСниС количСства ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π³Π°Π±Π°Ρ€ΠΈΡ‚ΠΎΠ² ΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… устройств с ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΈΡ… Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ. НС ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ интСрСсна ΠΈ Π°ΠΊΡ‚ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½Π° Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΈ Renesas β€” Ρ„Π»ΡΡˆ-ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° superAND с встроСнными функциями управлСния. Π”ΠΎ этого ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π° ΠΎΠ½ΠΈ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Ρ‹Π²Π°Π»ΠΈΡΡŒ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π² ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π΅, Π° Ρ‚Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ прямо Π² Ρ‡ΠΈΠΏ. Π­Ρ‚ΠΎ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ контроля бэд-сСкторов, ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ ошибок (ECC β€” error check and correct), равномСрности износа ячССк (wear leveling). ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π² Ρ‚Π΅Ρ… ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΠ½Ρ‹Ρ… вариациях ΠΎΠ½ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΡΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Π² Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π΅ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… Π±Ρ€Π΅Π½Π΄ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΡˆΠΈΠ²ΠΎΠΊ Π²Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΡ… ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ², Π΄Π°Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅ Π²ΠΊΡ€Π°Ρ‚Ρ†Π΅ ΠΈΡ… рассмотрим. НачнСм с бэд-сСкторов. Π”Π°, Π²ΠΎ Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти ΠΎΠ½ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅ Π²ΡΡ‚Ρ€Π΅Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ: ΡƒΠΆΠ΅ с ΠΊΠΎΠ½Π²Π΅ΠΉΠ΅Ρ€Π° сходят Ρ‡ΠΈΠΏΡ‹, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π² срСднСм Π΄ΠΎ 2% Π½Π΅Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΡ… ячССк β€” это обычная тСхнологичСская Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°. Но со Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π΅ΠΌ ΠΈΡ… количСство ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ (ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰ΡƒΡŽ срСду Π² этом Π²ΠΈΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ особо Π½Π΅ стоит β€” элСктромагнитноС, физичСскоС (тряска ΠΈ Ρ‚. ΠΏ.) влияниС Ρ„Π»ΡΡˆ-Ρ‡ΠΈΠΏΡƒ Π½Π΅ ΡΡ‚Ρ€Π°ΡˆΠ½ΠΎ). ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Π² ТСстких дисках, Π²ΠΎ Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти прСдусмотрСн Ρ€Π΅Π·Π΅Ρ€Π²Π½Ρ‹ΠΉ объСм. Если появляСтся ΠΏΠ»ΠΎΡ…ΠΎΠΉ сСктор, функция контроля подмСняСт Π΅Π³ΠΎ адрСс Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ размСщСния Ρ„Π°ΠΉΠ»ΠΎΠ² адрСсом сСктора ΠΈΠ· Ρ€Π΅Π·Π΅Ρ€Π²Π½ΠΎΠΉ области.

ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ
ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ памяти относятся Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ

БобствСнно, выявлСниСм бэдов занимаСтся Π°Π»Π³ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΠΌ ECC β€” ΠΎΠ½ сравниваСт Π·Π°ΠΏΠΈΡΡ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡƒΡŽ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΡŽ с Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ записанной. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π² связи с ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ рСсурсом ячССк (порядка Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ² Ρ†ΠΈΠΊΠ»ΠΎΠ² чтСния/записи для ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΉ) Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚Π° равномСрности износа. ΠŸΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Ρƒ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ Ρ€Π΅Π΄ΠΊΠΈΠΉ, Π½ΠΎ Π²ΡΡ‚Ρ€Π΅Ρ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉΡΡ случай: Π±Ρ€Π΅Π»ΠΎΠΊ с 32 ΠœΠ±Π°ΠΉΡ‚, ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… 30 ΠœΠ±Π°ΠΉΡ‚ заняты, Π° Π½Π° свободноС мСсто постоянно Ρ‡Ρ‚ΠΎ-Ρ‚ΠΎ записываСтся ΠΈ удаляСтся. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ΄Π½ΠΈ ячСйки ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Π°ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚, Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ интСнсивно ΠΈΡΡ‡Π΅Ρ€ΠΏΡ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ свой рСсурс. Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ Π½Π΅ Π±Ρ‹Π»ΠΎ, Π² Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… устройствах свободноС пространство условно разбиваСтся Π½Π° участки, для ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… осущСствляСтся ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ ΠΈ ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ количСства ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ записи.

Π•Ρ‰Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ слоТныС ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ класса «всС-Π²-ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΒ» сСйчас ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ прСдставлСны Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌΠΈ компаниями ΠΊΠ°ΠΊ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Intel, Samsung, Hitachi ΠΈ Π΄Ρ€. Π˜Ρ… издСлия ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΡ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ устройства, Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ лишь микросхСмС (стандартно Π² Π½Π΅ΠΉ имССтся процСссор, Ρ„Π»ΡΡˆ-ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ ΠΈ SDRAM). ΠžΡ€ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ ΠΎΠ½ΠΈ Π½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² ΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… устройствах, Π³Π΄Π΅ Π²Π°ΠΆΠ½Π° высокая ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π°Ρ… ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΌ энСргопотрСблСнии. К Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ относятся: PDA, смартфоны, Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Ρ‹ для сСтСй 3G. ΠŸΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Ρƒ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½Ρ‹Ρ… Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΊ β€” Ρ‡ΠΈΠΏ ΠΎΡ‚ Samsung, ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π² сСбС ARM-процСссор (203 ΠœΠ“Ρ†), 256 ΠœΠ±Π°ΠΉΡ‚ NAND памяти ΠΈ 256 SDRAM. Он совмСстим с распространСнными ОБ: Windows CE, Palm OS, Symbian, Linux ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΡƒ USB. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ Π½Π° Π΅Π³ΠΎ основС Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ созданиС ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΡ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… устройств с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ энСргопотрСблСниСм, способных Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ с Π²ΠΈΠ΄Π΅ΠΎ, Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠΌ, голосом ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ‡ΠΈΠΌΠΈ рСсурсоСмкими прилоТСниями.

Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ Ρ„Π»ΡΡˆ являСтся ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ энСргопотрСблСния ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² с ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ объСма ΠΈ быстродСйствия памяти. Π’ большСй стСпСни это касаСтся микросхСм с NOR Π°Ρ€Ρ…ΠΈΡ‚Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΡ€ΠΎΠΉ, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ с Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€ΠΎΠ², ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ Π² бСспроводных сСтях, ΠΈΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ NOR-Ρ„Π»ΡΡˆ, благодаря нСбольшим Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π°ΠΌ ΠΈ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΡƒ ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΎΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ, станСт ΡƒΠ½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ для хранСния ΠΈ выполнСния ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ΄Π°. Π’ скором Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ Π² сСрийноС производство Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ Π·Π°ΠΏΡƒΡ‰Π΅Π½Ρ‹ 512 ΠœΠ±ΠΈΡ‚ Ρ‡ΠΈΠΏΡ‹ NOR Ρ‚ΠΎΠΉ ΠΆΠ΅ Renesas. НапряТСниС питания ΠΈΡ… составит 3,3 Π’ (напомню, Ρ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΡŽ ΠΎΠ½ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΈ Π±Π΅Π· ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°), Π° ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² опСрациях записи β€” 4 ΠœΠ±Π°ΠΉΡ‚/сСк. Π’ Ρ‚ΠΎ ΠΆΠ΅ врСмя Intel ΡƒΠΆΠ΅ прСдставляСт свою Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΡƒ StrataFlash Wireless Memory System (LV18/LV30) β€” ΡƒΠ½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ систСму Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти для бСспроводных Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ. ОбъСм Π΅Π΅ памяти ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π°Ρ‚ΡŒ 1 Π“Π±ΠΈΡ‚, Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅Π΅ напряТСниС Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ 1.8 Π’. ВСхнология изготовлСния Ρ‡ΠΈΠΏΠΎΠ² β€” 0,13 Π½ΠΌ, Π² ΠΏΠ»Π°Π½Π°Ρ… ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π½Π° 0,09 Π½ΠΌ тСхпроцСсс. Π‘Ρ€Π΅Π΄ΠΈ ΠΈΠ½Π½ΠΎΠ²Π°Ρ†ΠΈΠΉ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ стоит ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΡŽ ΠΏΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ с NOR-ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒΡŽ. Он позволяСт ΡΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΡŽ Π½Π΅ ΠΏΠΎ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ Π±Π°ΠΉΡ‚Ρƒ, Π° Π±Π»ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠΈ β€” ΠΏΠΎ 16 Π±Π°ΠΉΡ‚: с использованиСм 66 ΠœΠ“Ρ† ΡˆΠΈΠ½Ρ‹ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΠ±ΠΌΠ΅Π½Π° ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ с процСссором достигаСт 92 ΠœΠ±ΠΈΡ‚/с!

Π§Ρ‚ΠΎ ΠΆ, ΠΊΠ°ΠΊ Π²ΠΈΠ΄ΠΈΡ‚Π΅, тСхнология развиваСтся ΡΡ‚Ρ€Π΅ΠΌΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ. Π’ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρƒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠΈ появится Π΅Ρ‰Π΅ Ρ‡Ρ‚ΠΎ-Π½ΠΈΠ±ΡƒΠ΄ΡŒ новСнькоС. Π’Π°ΠΊ Ρ‡Ρ‚ΠΎ, Ссли Ρ‡Ρ‚ΠΎ β€” Π½Π΅ Π²Π·Ρ‹Ρ‰ΠΈΡ‚Π΅ πŸ™‚ НадСюсь, ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» Π±Ρ‹Π» Π²Π°ΠΌ интСрСсСн.

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ

Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *